ICP光谱仪（ICP-AES/OES），主要用于微量/痕量元素的分析，可分析的元素为大多数的金属和硅，磷等少量的非金属，共72种。广泛应用于稀土、贵金属、合金材料、电子产品、医药卫生、冶金、地质、石油、化工、商检、环保以及钕铁硼、硅、硅铁、钨、钼等行业分析检测，可对待测样品进行定性或从超微量到常量的定量分析。如何检测工作气流量对ICP光谱仪工作的影响？

　　在ICP光谱分析中，载气不仅是气溶胶的运输气体，还参与对原子的激发过程，与ICP参数一起决定者观测区的有限激发能量。在实际工作中，根据分析谱线的激发电位(同时也要考虑其他干扰效应)，可以通过控制RF功率和调节载气流量来达到高激发效率，从而提高ICP光谱分析的分析性能。

　　工作气流量由载气，冷却气和辅助气等3路独立气体进行控制。其中，载气(雾化气)流量是影响ICP光谱分析的重要参数之一，而冷却气和辅助气的波动对谱线强度影响不大。载气流量选择以较小为好，因为，载气流量增大使溶液的吸出速率增大，进入等离子体的分析物量增大，雾化去溶干扰增大，并且使样品过分稀释，使其在icp通道中的平均停留时间缩短，不利于激发电离过程的完成。

　　载气流量的大小，将直接影响等离子体中心的通道温度、电子密度及分析物在等离子体中心通道的停留时间。同时载气流量的大小也会影响到试液提升量的多少、雾化效率的高低和雾滴直径的大小，会导致通道中的样品过分地稀释，在等离子体停留时间减少和通道中心部位的温度下降等现象发生，从而造成谱线强度的下降的后果。

　　载气流量值决定氩气通过雾化器的速度，直接影响样品引入的速度和雾化的均匀性。通过调节载气流量值，使待测元素的灵敏度和准确度达到。在ICP光谱仪分析过程中，操作者要根据雾化器的具体参数并结合RF功率和分析谱线的激发电位做相应的条件实验，根据条件实验进行载气流量参数的选择，并将此参数输入软件分析条件设置中，并在样品测试过程中保持其条件一致。